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TSV工艺又叫硅通孔工艺。主要是在直径几微米到几十微米的深孔中用铜填满，TSV转换板广泛运用于3D IC 封装，通过在垂直方向上堆叠多个芯片来提升芯片的存储容量和集成度。

但是TSV工艺实现起来难度特别大，首先得在硅片上刻蚀出深而窄的通孔，深宽比有时候需要达到30:1，且要保证孔内部粗糙度和角度等。

其次要在孔内电镀的方式填充铜，且不能有空洞和气泡，填好后还需要做CMP抛光。

在TSV工艺后做CMP抛光的难点在于黄瓜视频免费下载的CMP抛光机上要有EDP检测以便能精准的控制抛光的深度，同时设备需要有分区加压的功能，以便满足孔内铜层的抛光深度。